V2芯片的制造工艺为7纳米，这代表了在单位面积内集成晶体管的密度极高，是当前业界领先的制程水平。在设计上，V2芯片特别配置了片上SRAM，这是一种高速低耗的缓存单元，使得数据能够直接在芯片内部获取，无需频繁访问内存，极大提升了数据处理速度与效率。
与传统的SoC（系统级芯片）中采用的DDR外存设计相比，V2芯片的SRAM配置能显著提升能效比，理论数据表明，能效比提升幅度可达200%。这主要得益于SRAM在读写速度上的优势，以及其与芯片核心的直接连接，减少了数据传输过程中的延迟，从而在整体上实现了更高的能源利用效率。
7纳米制程与片上SRAM的结合，不仅提升了V2芯片的数据处理性能，同时也降低了能耗，这在当前追求高性能与低功耗的电子产品设计中尤为重要。随着技术的不断进步，V2芯片这样的设计有望成为未来智能设备、高性能计算以及边缘计算等领域的关键组件，推动技术的持续发展与创新。
