近年来，随着科技的不断发展，锗在半导体领域的应用逐渐受到关注。在传统硅基半导体技术的基础上，锗材料作为半导体的掺杂元素或替代材料，引入了新的可能性。其中，锗对于高频高速电子器件的应用成为研究热点，因为锗具有较高的电子迁移率和较低的能隙，有望提高器件的性能。
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