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专利名称：NAND存储器及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：姚邵康,巨晓华,王奇伟申请号：CN202011023971.X申请日：20200925公开号：CN112038350A公开日：20201204
摘要：本发明提供了一种NAND存储器及其制造方法。所述NAND存储器的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有重复排列的字线及选择管，且字线和选择管的侧壁形成有第一侧墙；刻蚀相邻选择管之间的第一侧墙，使相邻选择管之间第一侧墙的上表面低于选择管的上表面；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖相邻选择管之间的第一侧墙及衬底；去除字线之间及字线与选择管之间的第一侧墙；在字线、选择管及层间介质层上形成氧化层，以在字线之间形成空气间隙。本发明在形成层间介质层之前部分刻蚀相邻选择管之间的第一侧墙，以使选择管之间的第一侧墙埋在后续形成的层间介质层之下，避免其在形成空气间隙的过程中被去除，从而避免层间介质层出现空洞。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201315 上海市浦东新区良腾路6号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：曹廷廷
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