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专利名称：电子束交错的束孔阵列专利类型：发明专利
发明人：Y·A·波罗斯基,D·W·纳尔逊,M·C·菲利普斯申请号：CN201480078802.2申请日：20141219公开号：CN1015775A公开日：20170215
摘要：描述了适合于互补型电子束光刻(CEBL)的光刻装置和涉及互补型电子束光刻(CEBL)的方法。在示例中，用于电子束工具的阻断器孔阵列(BAA)包括沿着第一方向并且具有节距的第一列的开口。BAA还包括沿着第一方向并且与第一列的开口交错开的第二列的开口。第二列的开口具有所述节距。BAA的扫面方向沿着与第一方向正交的第二方向。
申请人：英特尔公司
地址：美国加利福尼亚
国籍：US
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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