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专利名称：一种Si-SiC衬底材料及其制备方法专利类型：发明专利发明人：王浩,熊圣安,杨小剑申请号：CN201610238856.1申请日：20160415公开号：CN105924170A公开日：20160907
摘要：本发明是一种Si‑SiC导电衬底材料及其制备方法。该材料是一种由光伏硅切割废料制备的Si‑SiC导电衬底材料，按重量计其组成为：酸洗后的光伏硅切割固体废料65～99.5％、碳化硅0～30％、改性铝粉0.5％～5％。该材料的制备方法是：将酸洗后的废料，碳化硅粉料以及经硅烷偶联剂包裹改性的铝粉进行混料，均匀后，将混合料、水、分散剂、粘结剂、增塑剂等进行球磨混合成浆料，流延成型成薄片，干燥后在氩气保护下烧结，最终得到复合Si‑SiC太阳能导电衬底陶瓷薄片。本发明实现了废料的资源化利用，同时降低了太阳能衬底材料的生产成本，为光伏硅切割废料合成一种具有高附加值产品的有效方法。
申请人：武汉理工大学
地址：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
国籍：CN
代理机构：湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人：王守仁
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