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专利名称：一种多LD密集阵列专利类型：发明专利
发明人：李松柏,史俊锋,孙鑫鹏申请号：CN201110096552.3申请日：20110418公开号：CN1022019A公开日：20110928
摘要：本发明涉及一种多LD密集阵列，包括密集排列的多个柱台，每个柱台上固定一个LD，其中每个柱台均为倾斜柱台，上表面的倾斜方向与LD的电源指示方向或尾纤输出方向相同。优选的，本发明采用的柱台为二维倾斜柱台，柱台上表面沿着两个不同的方向倾斜；其中一个上仰倾角的方向与LD的电源指示方向相同，另一个上仰倾角的方向与LD的尾纤输出方向相同。本发明具有以下优点：(1)LD电极与输出尾纤更加便于整理。(2)充分利用空间。(3)与阶梯状阵列相比降低了阵列的高度，并可以保证冷却效果。(4)灵活性强，可以按照不同需要，选择单独制作并单独使用、单独制作并列阵使用、一作并一体使用。
申请人：中国兵器装备研究院
地址：1000 北京市海淀区车道沟10号院
国籍：CN
代理机构：北京理工大学专利中心
代理人：张利萍
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