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专利名称：发光二极管专利类型：实用新型专利发明人：李锦珠
申请号：CN2017210819.X申请日：20170823公开号：CN207517721U公开日：20180619
摘要：本实用新型涉及发光二极管，包括：n个(n为2以上的整数)发光单元，在基板上彼此平行地配置且为长矩形形状；第一电极焊盘，配置于第一发光单元上；第二电极焊盘，配置于第n发光单元上；第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部，配置于每一个发光单元；连接部，使发光单元彼此连接。发光单元分别包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，分别具有通过第一导电型半导体层及活性层使第一导电型半导体层裸露的开口部，位于各发光单元上的第一延伸部包括沿发光单元的长度方向的长延伸部，且在各发光单元的开口部内连接于第一导电型半导体层，位于各发光单元上的第二延伸部与第三延伸部电连接于对应的发光单元的第二导电型半导体层。
申请人：首尔伟傲世有限公司
地址：韩国京畿道安山市
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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