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专利名称：一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法专利类型：发明专利
发明人：颜长,张双玉,刘银生,乐雄英,陆祥,陈如龙,陶龙忠,杨
灼坚
申请号：CN202011193980.3申请日：20201030公开号：CN112466986A公开日：20210309
摘要：本发明提供的一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法，包括：对硅片进行制绒及扩散；硅片的正面在外置含扩散掺杂源的SiO2膜薄保护下形成重掺杂区域；利用酸性溶液去除硅片背面的硅磷玻璃并利用碱性溶液抛光；利用酸性溶液去除硅片正面的硅磷玻璃；依次在硅片的背面沉积氧化铝膜、在硅片的正面沉积氮化硅减反射膜及在硅片的背面沉积氮化硅保护膜；利用激光去除硅片背面指定区域的叠层膜；印刷硅片两面的电极并烧结。该方法充分利用外置含扩散掺杂源的SiO2膜薄作为缓冲层，在激光选择性重掺时，保护此区域的原有氧化层不被破坏，进而保持重掺杂区域的性能稳定；采用碱液进一步减少表面悬挂键密度，实现良好的背抛光，进而提升电池性能。
申请人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
地址：224000 江苏省盐城市经济技术开发区湘江路58号
国籍：CN
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