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专利名称：一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管专利类型：实用新型专利发明人：黎明
申请号：CN201720288143.6申请日：20170322公开号：CN206602115U公开日：20171031
摘要：本实用新型涉及半导造领域，公开了一种基于硅衬底P型沟道场效应晶体管，包括由下至上的衬底、低温GaSb/AlSb超晶格缓冲层、AlGaSb缓冲层、GaSb沟道层、AlSb隔离层、AlGaSb势垒层、所述AlGaSb势垒层上一端面的第一梯度InGaSb帽层和相对另一端面的第二梯度InGaSb帽层，还包括形成于第一梯度InGaSb帽层上的源极和第二梯度InGaSb帽层上的漏极，形成于第一梯度InGaSb帽层和第二梯度InGaSb帽层之间且位于AlGaSb势垒层上的栅极，所述AlGaSb势垒层具体为P型掺杂结构，与GaSb沟道层之间形成二维空穴气，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应并降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。
申请人：成都海威华芯科技有限公司
地址：610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
国籍：CN
代理机构：成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人：徐丰
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