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专利名称：涂覆半导体晶片的背面的方法专利类型：发明专利发明人：H·俞
申请号：CN200980121608.7申请日：20090610公开号：CN102057473A公开日：20110511
摘要：本发明提供将涂料沉积到半导体晶片整个背面上的方法。本发明的方法解决了一般与在半导体晶片背面上沉积涂料有关的不足。因为本发明的方法产生其中涂料自始至终地被分配至晶片边缘的晶片，所以使切割期间的芯片飞扬最小化，以及晶片破损和芯片破损最小化。另外，当与传统的旋转涂布方法相比时，本发明的方法导致损耗的显著减小。
申请人：汉高有限公司
地址：美国康涅狄格州
国籍：US
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
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