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专利名称：半导体激光装置专利类型：发明专利发明人：大森弘治
申请号：CN2019800338.4申请日：20190315公开号：CN112154580A公开日：20201229
摘要：半导体激光装置(100)具备：设有冷媒的流路(66)的散热块(60)；和第1以及第2半导体激光模块(10、20)。散热块(60)具有：形成有槽部(65)的下部散热块(61)；在槽部(65)的上侧具有开口(62a、62b)且配设于下部散热块(61)的绝缘密封件(62)；和覆盖开口(62a、62b)的第1以及第2上部散热块(63a、63b)。第1半导体激光模块(10)在将正极侧设为下的情况下与第1上部散热块(63a)的上表面相接而配设，第2半导体激光模块(20)在将负极侧设为下的情况下与第2上部散热块(63b)的上表面相接而配设。
申请人：松下知识产权经营株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：柯瑞京
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