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双极型纵向平面式晶体管及其制造方法[发明专利]

来源:纷纭教育
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:双极型纵向平面式晶体管及其制造方法专利类型:发明专利发明人:李红伟,吴耀辉申请号:CN201310033817.4申请日:20130130公开号:CN103972279A公开日:20140806

摘要:本发明公开了双极型纵向平面式晶体管及其制造方法,包括P型半导体衬底、N型非本征集电区、下隔离层、本征集电区、插塞、上隔离层、本征基区、非本征基区、第一电介质膜层、发射区、集电极区、第二电介质膜层、引线孔、以及设置在前述引线孔内的金属布线。本发明利用双层隔离,使得晶体管的面积较小;基区方块电阻较小;集电极饱和压降低;同时采用节省的方法,得到平坦的引线孔前为保护晶体管表面所需的介质膜层。

申请人:苏州同冠微电子有限公司

地址:215617 江苏省张家港市杨舍镇乘航东苑路与镇中路交叉处西南角1室

国籍:CN

代理机构:常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)

代理人:徐琳淞

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