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专利名称：发光二极管芯片的制造方法专利类型：发明专利
发明人：袁根如,郝茂盛,颜建锋,李士涛,陈诚,董云飞申请号：CN200910048632.4申请日：20090331公开号：CN101515624A公开日：20090826
摘要：本发明涉及一种发光二极管芯片的制造方法，在蓝宝石衬底表面制造出凸包形周期性排列的微结构，之后在该衬底的上表面形成缓冲层，在该缓冲层上形成n型半导体层，在该n型半导体层的一部分上形成发光层，在该发光层上形成p型半导体层；以及在该n型半导体层的另一部分和p型半导体层上分别形成n电极和p电极。由于在衬底上形成了蒙古包形周期性排列的微结构，可以减少界面反射并减少内部吸收，可有效改善外延生长的缺陷，从而提高了发光二极管芯片的发光效率。
申请人：上海蓝光科技有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：余明伟
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