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专利名称：一种半导体器件及制作方法专利类型：发明专利
发明人：赵承贤,李鑫,高红梅,,刘浩,盘伶子申请号：CN202010639363.5申请日：20200706公开号：CN111725158A公开日：20200929
摘要：本发明公开了一种半导体器件及制作方法，其中，结构主要包括引线框架、引线框架外侧包裹的塑料壳体、引线框架外壁连接的引脚、引线框架内腔中安装有二者相互电性连接的芯片和二极管FRD；所述引线框架底部密封热压合有导热绝缘铜基树脂热片，导热绝缘铜基树脂热片为铜层和导热绝缘层叠加连接；通过导热绝缘铜基树脂热片同时提供密封和导热，从而将引线框架内腔产生的热量直接散热出。本设计的半导体器件在制作过程中，工艺也方便，采用热压方式，提供高导热的散热路径从芯片到应用端的散热器，而不需要额外的绝缘垫片来实现高功率密度与电气绝缘。
申请人：珠海格力新元电子有限公司,珠海格力电器股份有限公司
地址：519060 广东省珠海市斗门区斗门镇龙山工业区龙山二路东8号
国籍：CN
代理机构：天津三元专利商标代理有限责任公司
代理人：孙兵
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