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专利名称：改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法专利类型：发明专利发明人：成鑫华,许升高申请号：CN201210145086.8申请日：20120511公开号：CN103390554A公开日：20131113
摘要：本发明公开了一种改善肖特基二极管击穿电压均一性的方法，制作N型轻掺杂硅衬底；在N型轻掺杂硅衬底的上端面形成金属前介质层；刻蚀金属前介质层，在N型轻掺杂硅衬底的上端面定义出制作钴硅化合物层的区域；采用湿法清洗N型轻掺杂硅衬底的表面；在金属前介质层和N型轻掺杂硅衬底的上端面依次淀积金属钴层和氮化钛保护层；去除金属前介质层表面多余的金属钴层和氮化钛保护层，并对金属钴层和氮化钛保护层进行两次快速热退火处理形成钴硅化合物层；在钴硅化合物层和N型轻掺杂硅衬底上分别制作金属连接。本发明能有效改善肖特基二极管击穿电压均一性，消除肖特基二极管的短路现象，提高工艺稳定性。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东新区川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：戴广志
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