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专利名称：一种渗碳的二氧化钛纳米管阵列的制备方法及应用专利类型：发明专利发明人：刘建雄,马淼,胡晓晓申请号：CN201410803811.5申请日：20141223公开号：CN104593849A公开日：20150506
摘要：本发明公开一种渗碳的二氧化钛纳米管阵列的制备方法及应用，属于锂离子电池电极技术领域；本发明所述方法为在含氟电解液中，将纯钛片作为阳极，采用阳极氧化的方法制备得到有序的二氧化钛纳米管阵列；将制备得到的纳米管阵列在低温度下进行低温等离子渗碳处理，得到渗碳二氧化钛纳米管阵列；将该方法制备出的渗碳二氧化钛纳米管阵列作为锂电池负极材料并组装成半电池，对电池进行电化学性能检测；测试结果显示出235mAh/g的可逆嵌锂容量，远高于不掺杂样品容量，并且循环稳定性更佳。本方法具有操作简单，成本低廉，便于大规模生产等优点，在光催化，锂电池等领域有着广泛的应用前景。
申请人：昆明理工大学
地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号
国籍：CN
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