电磁场复习样题

122212111212 A． 1,2,2 B． C． D．cos,cos,coscos,cos,cos,,

3333333332. （ ）下面关于电位和电场的关系，正确表述为。

A．电位相等处，电场强度也相等。 B．电位相等处，电场强度不一定相等。

C．电场强度为零处，电位一定为零。 D．电位为零处，电场强度一定为零。

3. （ ）球坐标系原点处有一点电荷q，在ra处有一球面，球面上均匀分布着电荷量为q，

求穿过球面rk的电通量为 。 A．q当ka时 B．q当ka时

C．qq

D．qq当ka时

4. （ ）一点电荷q位于（，0，0），另一点电荷q位于（，，0），这两个点电荷

可以看成为一个偶极子，其偶极矩p________。

A．2q B．q C．qey D．qey

5. ( )下面关于点电荷的电场强度表述错误的是 。

A. 大小等于单位正电荷在该点所受电场力的大小 B. 方向与正电荷在该点所受电场力方向一致 C. 与受力电荷电量有关 D. 与产生电场的电荷有关。

6. （ ） 静电场中的导体处于静电平衡状态，对其性质的描述错误的是________。 A．导体内的自由电子在局部范围内仍作宏观运动 B．导体是一个等位体，其表面是等位面

C．导体带净电时，电荷只能分布于其表面 D．导体内的电场强度等于零

7. （ ）下面关于电介质描述正确的是________。

A．其分子分为有极分子和无极分子，因此在宏观上显示出电特性

B．在外电场作用下发生极化，其中的总电偶极矩不为零，产生了一个附加电场 C．极化后产生的附加电场能够抵消外加电场 D．极化后产生的极化电荷只能分布于介质表面 8. （ ）对静电场描述正确的是_____________。

A．电力线不构成闭合回路

B．电场强度的线积分与积分路径有关

C．电场强度的环量为常数 D．电场强度的旋度为常矢量

9. （ ）在静电场中，电场强度E与电位的关系为________________。

 A．E B．E C．E D．E2

10. ( )点电荷q位于两种电介质1和2分界面的上方h处的介质1中（介质2在下，介质

1在上，取分界面上方的距离为正，下方为负），则下面关于该点电荷在这两种电介质中的镜像电荷的电荷量和位置，错误的一项是 。

A. 介质2中的镜像电荷q''1212qqd''2h

B.介质1中的镜像电荷q'1212d'h

C. 介质2中的镜像电荷D. q'q''

q''1212qd''h

11. （ ）对于各向同性电介质的本构关系正确的是______。

A．D0EP B．D0E

C．D0EP

 D．DEP

12. （ ）密度为s的电荷均匀分布在平面x2y3z4上，则含有原点那一侧的电场

sex2ey3ezsex2ey3ez A． E()V/m ()V/m B．E20201414sex2ey3ezsex2ey3ez C．E()V/m D． E()V/m

001414 。

13. （ ）理想导体表面处，电场强度只有 。

A．只有切向分量 B．切向和法向分量都有

C．只有法向分量 D．切向和法向分量都为零

14. （ ）静电场和恒定电场中引入电位函数的根据是（ ）。 A．二者都是无旋场 B．二者都是无散场 C．二者都是有散场 D．二者都是有旋场 15. （ ）下面关于电位函数的描述正确的一项是______。

A．空间各点电位具有确定值；

B．根据需要，同一个问题可以有两个电位参考点； C．电位参考点电位一般为零；

D．对于无限长线电荷的电位，其电位参考点位于无穷远点

16. （ ）下面关于点电荷q对不接地球面导体（点电荷q位于球面外）的镜像电荷的电荷

量和位置中，错误的一项是______。 A．q'adadqqd'ad B．q'adqd'a2d

C．q''d''0(即位于球心) D．q'q''

17. ( )电介质极化后，其内部存在 。

A．自由正电荷 B．自由负电荷 C．自由正负电荷 D．电偶极子

18. ( )在理想电介质中_____, (传导电流密度：Jc；自由电荷体密度：)

A. Jc=0, =0 B. Jc0, =0C. Jc0, 0 D. Jc=0, 0

19. （ ）点电荷q对不接地球面导体(点电荷q位于球面外)的镜像电荷有__________个。 A．1 B．2 C．3 D．4

20. （ ）虚位移法求解电场力时可分为两种情况，下列说法正确的是 。

A．保持各个带电体电荷量不变时，外源对系统做功为零 B. 保持各个带电体电荷量不变时，外源对系统做功不为零 C. 保持各个带电体电位不变时，外源对系统做功为零

D. 保持各个带电体电荷量不变时，外源对系统所做的功等于系统电场能量的增量

21. （ ）下列关于静电场和恒定电场的说法正确的是 。

A．静电场是保守场，恒定电场不是保守场

B. 静电场不能存在于理想导体内部，恒定电场可以存在于理想导体内部 C. 二者的源都是静止电荷

D. 静电场只能存在于导体外，恒定电场可以存在与非理性导体内

22. （ ）静电场是无旋场，下面正确的一项为 。

A．电力线不构成闭合回路 B. 电场强度的线积分与路径有关

C．电场强度沿闭合路径的环量为常数 D. 电场强度的旋度为常矢量

23. ( )库仑定律是静电现象的基本实验定律。它表明，真空中两个静止的点电荷之间的相

互作用力的大小表述错误是 。

A. 与电量之积成正比 B. 与它们之间的距离的平方成反比 C. 作用力的方向沿两者间的连线 D. 两点电荷同号时为引力，异号时为斥力。

24. （ ）电位差反映了电场空间中不同位置处电位的变化量。电场空间中M、N两点之间

的电位差 ：

A．是相对值，与M、N两点位置无关

B．将单位正电荷从M点沿任意路径移动到N点过程中电场力所做的功 C．与电位参考点的选择有关

D．将单位正电荷从N点移动到M点过程中电场力所做的功

25. （ ）对于常用的静电场能量的几种表示式，下例描述中正确的是

A．WeB．We1212q表示点电荷系的互能，其中i是点电荷qi所在处的电位。

iii1NVdV表示分布电荷系统的能量，只有电荷密度不为零的区域才对积分有

贡献。 C．We12VdV表示连续分布电荷系统的能量，适用于静电场和时变电磁场。

D．We12VDEdV适用于静电场和时变电磁场。

26. （ ）点电荷q置于两个半无限大接地导体平面垂直相交的的区域中，则需要引入 个镜像电荷才能使导体平面上的电位为零。

A．4 B．5 C．3 D．2

27. （ ）下例对静电场中电位的描述正确的是 。

A．电位表示在电场中，将单位正电荷由某一点移动到参考点时电场力所做的功 B．电位是从静电场的无散性引入的

C．电位是一个绝对量，而电位差是一个相对量 D．可以选择点电荷所在的点作为电位参考点

28. （ ）对于电位参考点位置的可以选择，正确的是 。

A．该点电荷所在位置

B．对于具有圆柱轴对称性的问题，通常选择半径rr0的圆柱面作为电位参考点 C．任何情况下都可以选择无限远处为电位参考点

D．根据需要，同一个问题可以选择两个电位参考点

29. （B ）下面方程中， 表明磁场为无源场。

BDA．E B．B0 C．HJ D．D

tt30. （C ）下面关于磁通量的正确表述为。

A．磁通量从正电荷出发，终止于负电荷。 B．磁通量是一个矢量。 C．磁通量的单位为Wb/m2。 D．磁通量是封闭曲线。 31. （C ）下面正确的表达式为

 A．(A)0

。

(A)0

B．

C．(A)0 D．(A)0

32. （C ）一线电流平行于y轴放置，位于

求原点处的Hex1m、z1m处，电流沿y方向，大小为IA，

为 。

Iexez B．H()A/m222 A．

IexezH()A/m

222

IexezIexez()A/m D．H C．H()A/m 2222233. （ ）电场能量密度公式为 。

1 A．we B．weED221

C．we11ED或we22 D．we12E

234. （ D ）磁介质极化后，其内部和表面可能出现___ __。

A．自由正电荷 B．电偶极子 C．自由正负电荷 D．磁化电流 35. （ D ）当满足下例条件时，可以用磁标位来描述磁场。

A．磁化电流Jm0 B．极化电流JP0

C．位移电流JD0 D．静磁场且传导电流为零

36. ( )磁场能量存在于有_A_______的区域。

A．磁场 B．电流源

C．电磁场耦合 D．电场

A. 表示单位时间内通过单位体积的电量 B. 描述空间电流的分布情况，为空间矢量场 C. 在0时，其值也等于零

D. 单位为A/m3

38. （A ）下面方程中， 表明电场为有旋场。 37. ( B )体电流密度 BDA．E B．B0 C．HJ D．D

tt39. ( A )下面哪个适合于恒定磁场 。

A．B0 B．B0

40. ( A

)矢量场FC．B0 D．2B0

按源的分类为无旋场的是____________。

A．F0 B．F0 C．F0 D．F0

41. （ A ）关于磁感应强度的正确关系是______________。

 A．B0 B．B0

m1 C．B0 D．2B0

42. ( )两磁介质边界两侧的磁位分别为

位的边界条件为 。

|r和

m2|r，磁导率分别为

1和

2，磁

A．1m1

C．2m1rr|2m21m2rr| |

B．2m1nm1n|12m2n|

| D．1|m2n|

43. （ B ）对于各向同性磁介质的本构关系正确的是______。

A．

B0HM B．BH

C．B0HM D．BHM

44. ( C )磁矢位与磁感应强度的方向的关系互相 。

A．方向相反 B．互相平行 C．互相垂直 D．方向相同

45. ( C ) 下面式子中， __________表明恒定磁场是非保守场。

Hdl0 cHdlcBds0 sA．

C．



B．

CJdS sD． BdlJdSSDtSdS

246. ( C )已知单位长度的通电直导线，电流强度为I，其内部磁能为

0I16，单位长度的内

自感为 。 A. 0/16 B.  0/8 D.  0/4 C.  0/32 47. ( A )关于洛仑兹力，以下说法是正确的是______

A．不会对运动电荷做功 B．不能改变运动电荷速度的方向 C．能改变运动电荷速度的大小 D．始终与电荷运动方向平行

48. （A ）理想导体表面处，磁场强度只有 。

A．只有切向分量 B．切向和法向分量都有

C．只有法向分量 D．切向和法向分量都为零

49. ( C )设磁场垂直于线圈平面，下列哪种情况，线圈中会产生感应电动势？

A．磁场恒定 B．磁场恒定，线圈平行于磁场方向运动

50. （ B ）电流密度J可以分解为与法向en垂直的J，以及与en平行的J//，其中J＝____。

A．enJen B．enJen C．Jenen D．enJen

C．磁场交变 D．以上三种情况均不可能

51. （ ）电流密度J可以分解为与法向en垂直的J，以及与en平行的J//，其中J//＝_D___。

A．enJen B．enJen C．Jenen D．enJen

52. （ A）电流密度为J的恒定电流产生的磁场的磁矢位是 。

01JAdVA．A B．V404R00JdSAC．A D．S4R4S53. （ ）HH0costkr，H_____。

VJRdV

JRdS

A． ekH B．Hek C．H0ksintkr D．kH0sintkr

54. （

0）洛仑兹条件At，是_____的具体体现。

A．能量守恒定律 B．电磁感应定律 C．电高斯定律 D．电荷守恒定律

55. （ ）（ ）在良导体中，电场与磁场的相位关系为__________。

A．电场相位超前磁场相位45 B．电场相位滞后磁场相位45 C．电场相位与磁场相位同相 D．电场相位与磁场相位相差90

56. 一均匀平面电磁波由理想电介质垂直入射到平面边界的理想导体上，分界面为z0的平

面，入射波电场为EyE0costz，反射波电场为__________。

A．eyE0costz B．eyE0costz C．eyE0costz D．eyE0costz

57. （ D ）坡印亭定理SEHdSA．EH

中与耗散功率相关的是____。 dVVtwenB．EH C． D．EJ

twenVEJdV158. （ ）若波动方程 Ey,tEy,t0解为Y，则________。

ytA．yt B．yt C．zt D．zt

59. （

j/3j/4ey5eejkz，该平面波的极化特性）某平面电磁波的相量形式为Ezex4e为______。（注：正向指z轴方向，反向指z轴方向）

A．右旋椭圆极化正向平面波

C．右旋椭圆极化反向平面波

B．左旋椭圆极化正向平面波 D．左旋椭圆极化反向平面波

60. （ ）平面电磁波的其相速度p4c/3，频率f2.0 GHz，相位常数____。（注：

c310 m/s）

8 A．5 rad/m B．20 rad/m C．10 rad/m D．10 rad/m

61. （ ）某导体的电导率2106 S，对某频率电磁波的趋肤深度1m，表面电阻

Rs___________ /m2。 A． 0.5

B．5107 C．2

D．2106

62. （ ）均匀平面电磁波从空气垂直入射到理想导体的边界，不可能发生的现象是 _____ 。

A．入射电场与反射电场相变180度 B．在导体边界上为电场的波

C．电磁波在空气一侧形成驻波 D．反射系数为－1

63. （ ）已知媒质的介电常数为'j''，电磁波在该媒质中的欧姆损耗功率体密度的

时间平均值为___________。

A. 12''E2 B. 12E2 C.

12'E2 D. 12j''E2

. ( )关于电磁波传播速度表达式f，下述结论正确的是_______。

A. 波长越长，传播速度就越快

B. 频率越高，传播速度就越快 C. 发射能量越大，传播速度就越快 D. 电磁波的传播速度与传播媒质有关

65. ( )已知媒质的复介电常数为5j0.20，该媒质的损耗正切为____________。

A. 0.04

B. tan0.04 C. 0.04 D. 25

66. ( ) 平面电磁波在两种媒质分界面发生反射与透射时，对媒质的波阻抗与本征阻抗的

描述正确的是 。

A. 本征阻抗由媒质的特性参数决定，与频率无关 B. 波阻抗必然大于本征阻抗

C. 波阻抗与入射角有关

D. 本征阻抗与入射角有关

67. （ ）一均匀平面电磁波由理想电介质垂直入射到平面边界的理想导体上，在电介质中

只有________。

A．行波 B．驻波 C．反射波 D．入射波

68. （ B）下面关于波印廷矢量S的正确表达为 。

A．SHE B．SEH C．SHE D．SEH

69. （ ）某平面电磁波的相量形式为Ezex4ej/3ey5ej/4ejkz，该平面波的极化特性为

______。（注：正向指z轴方向，反向指z轴方向）

A．右旋椭圆极化正向平面波

C．右旋椭圆极化反向平面波

B．左旋椭圆极化正向平面波 D．左旋椭圆极化反向平面波

1270. （ ）媒质中传播的平面电磁波的衰减常数良导体，  ______ 。

A．f B．

2，其中1j，对于

 C． D．



71. （ ）位移电流是_______产生的。

A ．电场变化 B．磁场变化 C．电荷运动 D．导体 72. ( )对于理想介质中均匀平面电磁波不具有 特性。

A．是TEM波 B．电场与磁场振幅不变

C．电场与磁场同相位 D．波阻抗为虚数 73. ( )对趋肤深度描述正确的是_______。

A． 趋肤深度是电磁场进入媒质的最大深度 B． 趋肤深度越大衰减常数也越大 C． 电磁场强度越大趋肤深度越大

D． 通常它与电磁波的频率有关

74. ( )坡印亭定理的复数表示形式为__________。

***A. EHjHBEDEJ*

****B. EHjHBEDEJ****C. EHjHBEDEJ****D. EHjHBEDEJ

75. ( )导电媒质中电磁波的传播速度_______光速。

A．小于 B．大于

C．等于 D．不确定

76. （ ）已知媒质的介电常数为'j''，该媒质的损耗正切为______。

A.

''' B. tan''' C. tan''' D. '''

77. （ B ）下面关于电磁场边界条件的错误表述为

A. 分界面两侧，电场的切向分量连续 B. 分界面两侧，电场的法向分量连续 C. 分界面两侧，磁场的法向分量连续

D. 分界面不存在电流时，磁场的切向分量连续

。

78. （ ）对电磁波相速度描述正确的是_______。

A．相速度总是大于群速度 B．它是电磁能传播的速度 C．是电磁波等振幅面传播的速度 D．可大于光速

79. ( )平面电磁波在边界发生反射与透射时，下例叙述正确的是________。

A. 反射系数一定大于0 B. 反射系数一定小于0 C. 透射系数一定大于

1 D. 透射系数可以大于1

BB．EdlcStdS

BD．cEdlStdS80. （ C ）电磁感应定律的积分形式为 。

BEdlA．cStdS

BC．cEdlStdS

81. （ ）在色散材料中群速g与相速p一般不等，并具有如下形式gp1dpddpp， d

当0时，该色散称为 。

A. 正常色散 B. 反常色散 C. 无色散 D. 零色散

82. （ ）平面电磁波的相速度p4c/3，频率f4.0 GHz，相位常数____。（【注】

c310 m/s）

8 A．40rad/m B．20 rad/m C．10 rad/m D．10 rad/m

83. （ ）均匀平面电磁波从理想介质垂直入射到理想导体表面，下面说法错误的

是 。

A. 在导体表面合成电场形成波节

B. 在导体表面合成磁场形成波腹 C. 在理想介质一侧合成电场与合成磁场的相邻波腹与波节间距为半个行波波长 D. 在理想介质一侧的波腹处坡印亭矢量不为零

84. （ ）对于圆极化电磁波，两个相互垂直的电场分量必然的情况为 。

A. 反相

 B. 相差 D. 振幅不等 90 C. 同相

85. （ D ）面电流密度 A．方向在某些情况下不是空间电流流动的方向 B．大小为单位时间内垂直通过单位面积的电量 C．单位为A/m2 D．单位为A/m

86. （ B ）坡印亭定理EHA. wenwentEJ中表示电磁能密度的是__________。

went B. EH C.  D. EJ

87. （ ）EE0coste , HH0costm，则电磁波能流密度的平均值Sav是

______。

A. E0H0cosem B. E0H0cosem

C. 11E0H0cosem D. E0H0cosem22

88. （ ）对于椭圆极化电磁波，两个相互垂直的电场分量必然的情况为 。

A. 反相

B. 振幅相等 C. 同相 D. 振幅不等

. （ ）平行极化入射波是指入射波的电场矢量与入射面 。

A. 垂直

B. 平行 C. 无确定关系 D. 不共面

90. （ ）平面电磁波入射到两种介电常数不等的非磁性理想电介质分界面时，可能发生全

反射与全透射现象，当发生全透射现象时，入射角应该 。

A. 等于布儒斯特角 C. 小于大于临界角

B. 大于临界角

D. 大于布儒斯特角

91. （ ）某良导体对于频率为f的电磁波的趋肤深度为，电磁波垂直入射到该导体表面时，

每深入1个0，衰减AdB约增加______dB。（【注】20log10e8.686）

A. 9 B. 18

C. 4 D. 27

92. （ ）自由空间有一半径为a的实心球体，球内电流密度为Jr,t22矢量磁位应满足方程ArajtJ0e，则球外的

______。

D. J

 C. 0 A. J B. J93. （ ）非磁性良导体的复介电常数cj，满足

1，其中、、分别为电

导率、介电常数和角频率，该良导体的本征阻抗c为_______。

A. 02 B. 021j

C. 021j

D. j02

94. （ ）某电介质中的电场EyE0ejkzrTejkz，磁场为Hy0E0rTejkzejkz/0，该

介质的波阻抗z__________。（【注】zrTej2kz）

11zA. 01z1z1z

B. 01z1z

0 C. D. 11z01z95. （ ）下面关于时变场的正确表述为。

A．时变场是无旋场 B．时变场是保守场

C．时变场是有旋场 D．时变场是无源场 96. （ ）对于均匀平面电磁波的极化，下列叙述正确的是 。

A．电场与磁场的传播方向一致，形成直线极化波 B．椭圆极化波是线性极化波的蜕化形式

C．当电场矢量的两个垂直分量的振幅不等时，形成椭圆极化波

D．当电场矢量的两个垂直分量的振幅相等时，不能形成椭圆极化波

1. 设Rrr为源点r到场点r的矢径，则R 。

2. 点电荷q对不接地球面导体（点电荷q位于球面外）的镜像电荷的电荷量为__________

和位置为 。

3. 在真空中，点电荷q在空间某一点（到点电荷q的距离为R）激发的电场的电场强度的大

小为 。

4. 两个点电荷q1、q2分别位于点(1,0,0)m处和点(0,0,1)m处，则作用在q1上的力5. 在均匀、线性、各向同性媒质中，电流密度J、电导率σ、电场强度E之间的关系

为 ，此关系称为欧姆定律的微分形式。

6. 面积为S，相距d的空气介质平行板电容器，当两端所加电压为U0sint时，两板间的

电能We0S2dU0sint22为 ，作用在q2上的力为 。

，两板间的引力大小为 。

7. 在真空中，点电荷q在空间某一点（到点电荷q的距离为R）激发的电场的电场强度的

大小为 ，若选无限远处为参考点，则得电位为 。 8. z0平面（XOY平面）的两侧分别为自由空间和相对介电常数为4.0的电介质，自由空

间一侧的场强为E1ex2ey8ez V/m，电介质一侧的场强大小E2 。

9. 若电压函数的表达式为U8xyz, 则该电压函数在1,2,1处的梯度U ，该点的电场强度E  。

10. 极化电荷的体密度与极化强度的关系为 。

11. 用电场矢量E,D表示电场能量密度的公式 ，用磁场矢量H,B表示磁场能

量密度的公式 。

矢量的法向分量总是连续的（电荷密度ρ=0的区域）。

13. 在矢量场中，电场的分布可以用矢量线描述。电场强度的矢量线称为电力线，其上每点

的切线方向就是该点电场强度的方向，其分布疏密正比于电场强度的大小。静电场电力线的性质是：电力线是一簇从 ；在没有电荷的空间里， 。

14. 在真空中，点电荷q在空间某一点（到点电荷q的距离为R）激发的电场的电位，若选无

限远处为参考点，则得电位为 ；若选距离点电荷r0处为参考点，则得电位为 。激发的电场的电场强度的大小为 。

15. 点电荷q位于接地导体球壳内，则其镜像电荷q′(设导体球壳的内外半径分别为a和b，

点电荷q和镜像电荷q′到导体球心的距离分别为d和d′)为：电量 ，位置 。

16. 静电场是无旋场，即有：E0，其物理意义是 。

12. 在静电场中两种不同媒质的分界面上， 矢量的切向分量总是连续的；

17. 电介质中无极分子的正、负电荷中心 ，因此对外产生的合成电场为0。 18. 在静电场中两种均匀电介质（介电常数分别为1、2，电位函数分别为1、2）的分界

面上，电位函数的边界条件是 和 。 19. 真空中静电场高斯定理的微分形式为 ，它表明空间任意一

点 。

20. 两个点电荷q1、q2分别位于点(1,0,0)m处和点(0,0,1)m处，则作用在q1上的力21. 在线性、均匀和各向同性的电介质中，静电位满足的泊松方程和拉普拉斯方程分别 为 和 。

22. 在真空中的无线长直导线上均匀分布着线密度为l的线电荷，则线外任意一点（设该点

为 ，作用在q2上的力为 。

与导线的距离为r）的电场强度为 。

23. 若电位压函数的表达式为Ax,

2则电场强度E 和电荷密度

 。

24. 在磁介质中，介质的磁化强度M与磁场强度的关系B为 。

25. 在分析恒定磁场B时引入矢量磁位A，B和A的关系是__________，引入这一关系的依

据是___________。

26. 根据亥姆霍兹定理，要唯一确定一个矢量必须同时给出它的旋度和散度。在引入矢量磁

位时给出了矢量磁位得旋度为___ _____，同时库仑规范条件给出了矢量磁位的散度，为_ __。 27. 在磁介质中，恒定磁场的散度定理及旋度定理微分形式分别为 ______ _

和_ __ ___。

28. 磁场矢量磁位引入时，规定的库仑条件是____________，洛仑兹条件是__________。 29. 磁介质内磁化电流体密度与磁化强度的关系是为________,用来计算磁介质内部的磁化

电流分布。磁化电流的面密度可表示为____________。

30. 两导电媒质分界面为z0平面，磁场Hexaeyyezc，Hex2aey2bez2cz0z0，

分界面的电流面密度Js

aexbey 。

31. 磁介质极化后，其内部和表面可能出现 磁化电流 。 32. 定向流动的电荷形成电流。设某一区域电荷密度为，运动速度为v，此运动电荷在空间

产生的磁感应强度为________。磁感应强度的方向和电荷运动的方向的关系为 。

33. 对以速度v运动的点电荷q，在外电磁场(E，B)中受到的电磁力为 ________________。

34. 对于磁导率为50的某媒质，磁位Aey5A00yz，其中A0为常数，0为真空磁导率，

在1,1,1点的磁通量密度矢量为 5A00ex ，该处的磁化电

流体密度Jm 5A00ez 。

35. 电流连续性方程的微分形式为 。对于恒定电流，电流连续性方程的微分形式为 。

36. 在两种不同磁介质的分界面上， 磁感应强度 矢量的法向分量总是连续的. 若在分界

面上无自由电流， 磁场强度 矢量的切向分量总是连续的，

37. 磁高斯定理的积分形式为 ；真空中安培环路定理的积分形式

为 。

38. 引入的磁矢位所满足的泊松方程为 ；在无源区域（J0），磁

矢位所满足的拉普拉斯方程为 。

39. 在两个磁介质分界面上，磁矢位所满足的边界条件为 ，

和 。

40. 电流元 Idl 在空间中距离电流元为R处产生的磁感应强度为___________，磁感应强度

方向与电流元的方向的关系为 互相垂直 。

41. 麦克斯韦方程组第一方程引入了__________________假说，麦克斯韦第二方程是关于

________________定律。

42. 麦克斯韦方程组的四个方程中只有 个是的，它们分别称作 和全电流定律。

43. 自由空间中本征阻抗为 ，在r9,r1的理想介质中，本征阻抗

为 。

44. 一均匀平面电磁波由理想电介质垂直入射到平面边界的理想导体上，在电介质中将形

成 。

45. 均匀平面波的电场和磁场方向的关系为 。

46. 假设角频率为电磁波在某媒质中的群速度g与相速度p的关系为

dpgp/1， pd对于无色散材料，则

dpd 0。

，

47. 某非磁性媒质中的平面波的电场强度为Eex100e0.01ycos2106t0.01yV/m折射率n 。

48. 坡印廷矢量的瞬时值表达式为_________________。

49. 两非磁性理想电介质分界面为平面，其法向为ez，入射波为ExE0cost3y4z，反

射波的波矢量k'_________。

50. 有损耗媒质中，本征阻抗为一 。[注：复数或实数]

jjy51. 角频率为的单色波，它的相量为E0ee，其时域形式为 。

52. 自由空间中本征阻抗为 ，在r4,r1的理想介质中，本征阻抗

为 。

53. 在一定的频率范围内，若0，该材料为 ；若，该材料

为 。

54. 若电场强度为E2(x4y)ex8xeyV/m，则将q10C的点电荷沿x28y路径从原点

移动到点4,2,0 m处所做的功为 。

55. 对于平面波在平面边界的反射与透射规律，在分界面上应满足____________条件。 56. 当平面波从非磁性媒质1入射到非磁性媒质2时，若反射系数为0，说明电磁场功率全部

入射到媒质2中，满足该条件的入射角tan1/叫作___________。

B2157. 某非磁性媒质中的平面波的电场强度为Eex100e0.01ycos2106t0.01y V/m，相对

介电常数r 。

wen58. 坡印亭定理EHEJt中表示电磁能密度的是 。

59. 均匀平面波的电场、 和 三者互相垂直，且服从右手螺旋法

则。

60. 已知媒质的复介电常数为5j0.20，该媒质的损耗正切为____________。 61. 利用麦克斯韦方程组，可以导出电荷守恒定律，其表示形式为___________。 62. 某平面电磁波的相量形式为

zj/2j/4jkzEz3eex4eeye，该平面波的极化特性

为 。（【注】：正向（前向）指z轴方向，反向（后向）指轴方向）

，角频

63. 某非磁性媒质中的平面波的电场强度为Eex100e0.01ycos2106t0.01y V/m率 。

. 对于平面波在平面边界的反射与透射规律，在分界面上应满足____________条件。 65. 某电介质中的电场Ex10ejkzrTejkz V/m，磁场为Hy0.2rTejkzejkz A/m，该介

质的特性阻抗c__________。 的群速度g 。

67. 一波长为0.2m的均匀平面波从自由空间垂直入射到理想导体的平面边界上，经导体

反射后，第一个电场

Ez

66. 假设角频率为电磁波在某媒质中的相位常数a2b，其中a,b为常数，则该媒质

波节点（不在导体面上的）距导体的距离为 。

68. 某电介质中的电场Ex12costkz V/m，磁场为Hy0.02costkz A/m，该介质

的波阻抗__________。

69. 均匀平面电磁波Hey0.2costz A/m，垂直入射到表面电阻为0.05的导体上，

则单位面积导体产生的欧姆损耗为 。

70. 某非磁性媒质中的平面波的电场强度为Eex100e0.01ycos2106t0.01y V/m，角频

率 ，相位常数为 。

71.

1. 在圆柱坐标系中，ra与rb (ba，单位为m)两个圆柱面之间的体积内均匀分布着

电荷，其密度为。试求

（1）各区域内的D；（2）各区域内的E；（3）求两个圆柱面之间的电位差Uab。

 z +∞ a b -∞ 2. 如图所示：无限长线电流位于z轴，介质分界面为平面，试求：

（1）空间的磁感应强度的分布；（2）磁化强度；（3）磁化体电流和磁化面电流。

z I  0  1 x

3. 设区域Ⅰ(z0)的媒质参数为r11,r11,10；区域Ⅱ(z0)的媒质参数为

r25,r220,20，已知：

区域Ⅰ中的电场强度为E1ex[60cos(15108t5z)20cos(15108t5z)] V/m 区域Ⅱ中的电场强度为E2exAcos(15108t5z) V/m

试求：

(1) 常数A；(2) 磁场强度

H1和H2；(3)

证明在z0处H1和H2满足边界条件。



4. 一均匀平面电磁波ExE0ejkz，从空气0,0垂直入射到非磁性电介质r0,0表

分界面z0平面。（注：设反射系数为，透射系数为）

求（1）两介质的特性阻抗；（2）入射波的磁场；（3）反射波的电场与磁场；（4）空气中的总电磁场；（5）另一电介质中电磁场。

5. 同轴线内导体半径为a，外导体半径为b。内外导体间充满介电常数分别为1和2的两种

理想介质，分界面半径为c，如下图所示。已知外导体接地，内导体电压为U，试求：

（1） 内导体单位长度带电量（线电荷密度）l；导体间的D分布；导体间的E分布。

6. 设z=0 的平面为空气与理想导体的分界面，z<0 一侧为理想导体，分界面处的磁场强度

为H(x,y,0,t)exH0sinaxcos(tay)。试求：

（1） 理想导体表面上的电流分布；理想导体表面上的电荷分布；分界面处的电场强度。



7. 频率为100MHz的均匀平面波，在一无耗媒质中沿z轴方向传播，其电场EexE0。已

知媒质的参数r4,r1，且当t0,z1/8m时，电场幅值为0.1mV/m。试求：

（1）E的瞬时表示式；（2）H的瞬时表示式。

8. 设两导体平面的长为 l，宽为b, 间隔为d，上、下面分别有方向相反的面电流JS0。设b>>d,

l>>d，试求：

（1） 两导体板之间磁感应强度；两导体板之间磁场强度；两导体板之间储存的磁场能；上面一片导体板面电流所受的力。 9. 如图所示，区域I（1） 区域I

中，B112ex8ey4ezT，试求：

z ； r21 中的磁场强度H1 ；区域

II

中的磁感应强度H2（2） 区域II

中的磁场强度B2 。

II o r19 I 10. 同轴线填充两种介质，结构如下图所示。两种介质的介电常数分别为1和2，电导率分

别为1和2，设同轴线内外导体电压为U。试求：

J（1）导体间的电场强度E；（2）电流密度矢量；

电位；分界面上自由电荷的分布。

11. 在坐标原点附近区域内，传导电流密度为Jer10r1.5 A/m2

试求：

(1) 通过半径r1 mm的球面的电流值；(2) 在r1 mm 的球面上电荷密度的增加率； (3) 在r1 mm 的球内总电荷的增加率。

12. 频率为1.996GHz的均匀平面波在聚乙烯中沿z轴传播，设其为无耗媒质，相对介电常

数为2.26。若t0，z1/5时，磁场强度的幅值为7mA/m，磁场的极化方向为x。求 （1）相速；（2）波长；（3）波阻抗；（4）相位常数；（5）磁场的瞬时形式；（6）电场的瞬时形式；（7）平均功率流密度矢量。

13. 同轴线内外导体半径分别为a、b，导体间部分填充介质，介电常数为ε，如下图所示。

已知内外导体间电压为U，试求：

内导体单位长度带电量（线电荷密度）l；导体间的E分布；导体间单位长度内的电场能量。

14. 有一半径为a，通过的电流为I，的无限长导体，如图所示，试求： （1）单位长度的磁场能量；（2）导体内的磁链；（3）导体的内自感。

15. 已知时变电磁场中矢量位AexAmsin(tkz)，其中Am、k是常数，试求

磁场强度；电场强度；坡印廷矢量。

16. 均匀平面电磁波由非磁性电介质1向非磁性电介质2沿正x轴方向垂直入射，设两种介质

的相对介电常数分别为r1和r2，其分界面为x0的平面，如果入射波在分界面上的电场

I a 强度EE0ey，分界面的反射系数为，透射系数为。试求

（1） 两介质中的传播常数和波阻抗；（2）两介质中的电场强度E和磁场强度H。

17. 真空中一导体球半径为a，球外一点电荷q到球心的距离为d，如下图所示。求：

（1）导体球接地时空间电位分布及点电荷q所受的电场力；（2）导体球未接地时空间电位分布及点电荷q所受的电场力。

18. 同轴线的内导体半径为a，外导体的内半径为b，外半径为c。设内、外导体分别流过反

向的电流I， 两导体之间介质的磁导率为，试求

（1） 各区域的H；各区域的B

；各区域的M。

19. 在自由空间中，时变电磁场的电场强度复矢量E(z)eyE0ejkz，式中k与E0为常数。求：

(1) 磁场强度复矢量；(2) 坡印廷矢量的瞬时值；(3) 平均坡印廷矢量。

20. 时谐变电磁波由非磁性电介质1沿+z轴向非磁性电介质2垂直入射，其分界面为z0平

j2zj2z面，入射波为Ei0.2eex V/m; Hi1.6eey mA/m，

（1）求介质1的波阻抗1；（2）若反射系数0.2，求介质1中的电场强度E和磁场强度H；（3）求透射系数。

21. 线电荷密度

l30nC/m的无限长直导线位于无限大导体平板（z=0处）的上方z=3m处，

沿y轴方向，如下图所示。试求：该导体板上的点（2，5，0）处的感应电荷密度。

（1） 点（2，5，0）处的电场强度； 点（2，5，0）处的感应电荷密度。

22. 铁质的无限长圆管中通过电流I，管的内外半径分别为a和b。已知铁的磁导率，试求： （1）管壁中和管内外空气中的磁感应强度；（2）铁中的磁化强度；（3）铁中的磁化电流。

z b a r I 23. 已知无源的自由空间中，时变电磁场的电场强度为：

EeyE0cos(tkz)(V/m)

试求：

（1） 磁场强度；瞬时坡印廷矢量；平均坡印廷矢量； 24. 频率

f100MHz的平行极化正弦平面电磁波，在空气（z0）中以入射角

i60斜入

射到z0的理想导体表面。设入射波磁场的振幅为0.1A/m，极化方向为y方向。试求： （1）入射波与反射波的单位波矢量；（2）入射波与反射波的电场与磁场的相量形式。

25. 有一平行板电容器，极板面积为lb，板间距离为d，用一块介电常数为的介质片填充

在两极板之间（xl），如下图所示。设极板间外加电压为U0。

求：

（1） 平行板电容器的电容；电容器储存的电场能量；介质片所受的静电力。

26. 半径为a的无限长直导线，载有电流I，试计算

（1） 导体内、外的电流密度矢量磁感应强度J；（2）导体内、外的磁感应强度B。

27. 两块无限大的理想介质平板分别置于z0和zd处，如图所示，在平板间存在时变电磁

EeyE0sin(z)cos(tkxx)d场，其电场强度为，试求：



（1）该时变场相伴的磁场强度H； （2）两导体表面上的面电流密度JS和面电荷密度S。

z d y

28. 一平面波从自由空间垂直沿z轴垂直入射到在z0的理想导体板上，

jz，试 EizexjeyEme（1）确定反射波电磁场；（2）总电场的瞬时形式。

29. 自由空间中有一半径为a的接地导体球，球外一点电荷q距球心的距离b，设镜像电荷位

于球心与点电荷q的连线上，距球心d，其电量为q'， （1） 试画出接地导体球与点电荷的示意图；（2）求d和q'。

30. 设在截面ab的矩形金属波导中的时变电磁场为坐标原点附近区域内，传导电流密度为

HezHz0cos(x)sin(tz)exHx0sin(x)cos(tz)aaV/m EeyEy0sin(x)cos(tz)A/maA/mA/m

若波导内部为真空，试求

（1）波导中位移电流的分布；（2）波导壁上的电荷 ；（3）波导壁上的电流。

y b不z

a x

31. 已知真空中的均匀平面波电场强度的瞬时值为频率为：

8E(z,t)ex20sin(610tz)V/m，试求

（1） 频率f、波长、相速vp及相位常数；（2）电场强度复数表达式、磁场强度复数表达

式及瞬时表达式；（3）能量密度矢量瞬时值及平均值。

32. 媒质1的电参数为140,120,10；媒质2的电参数为220,230,20。两

种媒质分界面上的法向单位矢量为en0.ex0.6ey0.48ez，由媒质2指向媒质1。若已

知媒质1 内邻近分界面上的点P处的磁感应强度B1(ex2ey3ez)sin300tT。试求点P处下列量的大小

（1）B1n；（2）B1t；（3）B2n；（4）B2t。

1. 同轴线的内导体半径为a，外导体半径为b，内外导体之间填充介电常数为的均匀介质。

试证明该同轴线单位长度的电容为C 2.

2ln(b/a) F/m。

12E2证明：矢量函数EexE0cos(tz) 满足真空中的无源波动方程E220cct。

3. 同轴线的内导体半径为a，外导体半径为b，内外导体之间填充一种介电常数为，电导

率为的非理想介质。试证明该同轴线单位长度的绝缘电阻为

4. 证明通过任意封闭曲面的传导电流和位移电流的总量为零。

5. 一半径为

R0R12lnba。

的介质球，介电常数为

r0，其内均匀地分布着体密度为的自由电荷，

试证明：该介质球中心点的电位为：

2r12r30R20

6. 非磁性无耗媒质的参数明： 7.

,,,c，自由空间的参数0,0,0,c0，n为媒质的折射率，证

kk0n,0/n,0/n。

已知无源的真空中的电磁波的电场EexE0costz V/mc，c为真空中的光速。证明

Saveywavc，wav是电磁场能量密度平均值。

8. 证明：在不同的磁介质的分界面上，矢量磁位A的切向分量是连续的。

9.

12E证明矢量函数E 满足真空中的无源波动方程2exE0cos(tz)E202cct。

10. 在理想电介质中，沿波矢k方向传播的时谐变均匀平面波的电场强度为jk利用r，EE0e麦克斯韦方程，推导出kE。

11. 平行极化平面电磁波在两种非磁性媒质分界面（1,12,2）的反射系数为

21cosi21sini21cosi21sini22，i为入射角，证明：当平行极化平面电磁波全透射进入媒

质2时，满足的入射角Btan12/1。

12. 一个很薄的无限大导体带电平面，其上的面电荷密度为s。试证明：垂直于平面的z轴

上zz0处的电场强度中，有一般是由平面上半径为3z0的圆内的电荷产生的。

13. 电磁波的相速p随频率的变化即产生色散现象，一般情况下群速g与相速不等，试证明

群速与相速的关系为gp1dpp。 d

14. 证明均匀导电媒质内部，不会有永久的自由电荷分布。

15. 利用麦克斯韦方程组，导出电荷守恒定律的表达式。

21E16. 证明：矢量函数EexE0sin(z)cos(t) 满足真空中的无源波动方程2E220。

cct