东芝的绝缘门极晶体管 N沟道硅IGBT
GT25Q101
▲应用：
高功率的开关应用 运动控制应用
▲高输入阻抗
▲高速：tf=0.5us(Max)
▲低饱和电压：VCE(sat)=4.0V(Max) ▲放大模式
最大额定值(Ta=25℃) 参数 集电极-发射机 电压 发射极 门极电压 集电极电流 DC 1ms 符号 VCES VGES IC ICP PC Tj Tstg 典型值 1200 +-20 25 50 200 150 -55-150 单位 V V A A W ℃ ℃ 集电极功率损耗Tc=25℃ 结点温度 存储温度范围
电气特性(Ta=25℃) 参数 符号 测试条件 VGE=±20V, VCE=0 VCE=1200V, VGE=0 IC=25mA,VCE=5V IC=25A,VGE=15V VCE=10V,VGE=0V,f=1MHz 最小值 － － 3.0 － － － － － － 典型值 － － － 3.0 3200 0.2 0.3 0.3 0.8 最大值 单位 门极漏电流 集电极管段电流 发射极关断电压 集电极-发射极 饱和电压 输入电容 上升时间 开关时间 打开时间 下降时间 关断时间
IGES ICES VGE(OFF) VCE(sat) Cies tr ton tf toff ±nA 500 1.0 mA 6.0 4.0 － 0.6 0.8 0.5 1.5 us V V pF
