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专利名称：一步模板法制备有序纳米点阵列的方法专利类型：发明专利
发明人：张璋,张晓燕,高兴森,亢梦洋申请号：CN201510487320.9申请日：20150810公开号：CN105088304A公开日：20151125
摘要：本发明实施例提供一种一步模板法制备有序纳米点阵列的方法，包括：步骤101，选取衬底材料，并对该衬底材料进行前处理，得到衬底样品；步骤102，制备阳极氧化铝AAO模板；步骤103，将所述AAO模板平铺到所述衬底样品上，得到待刻蚀样品；步骤104，将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；步骤105，去除残留的AAO模板，得到有序的纳米点阵列；该方法利用AAO的底部障碍层图形结构转移至衬底上，无需传统的孔扩宽和通孔处理步骤，直接转移简便省时；利用离子束刻蚀机进行垂直轰击，无需引入有毒的化学反应气，制作方法无毒无害，对操作人员不会造成伤害，安全性高。
申请人：华南师范大学
地址：510631 广东省广州市天河区中山大道55号
国籍：CN
代理机构：北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：胡剑辉
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