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专利名称：一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管及其工艺实
现方法
专利类型：发明专利
发明人：董志华,程知群,刘国华,周涛,柯华杰申请号：CN201510398197.3申请日：20150703公开号：CN104966741A公开日：20151007
摘要：本发明公开了一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管及其工艺实现方法，装置部分包括阴极电极、渐变AlGaN极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变AlGaN极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变AlGaN极化掺杂层的外侧设有阴极。本发明中的高电子浓度材料，易于形成电子隧穿，获得良好的欧姆接触，提高器件性能。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州求是专利事务所有限公司
代理人：叶志坚
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