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专利名称：制备晶体薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：I·V·卡夫罗恩雅克,P·I·拉扎列夫,K·P·洛夫特斯
基,M·V·波克施托
申请号：CN200610086558.1申请日：20060622公开号：CN1885068A公开日：20061227
摘要：本发明提供了一种旨在有选择性地使液晶体系的生产技术及组成最优化的方法，用以获得具有预定物理性能的晶体薄膜(TCF)，进而将其用于制备晶体薄膜。
申请人：日东电工株式会社
地址：日本大阪府茨木市
国籍：JP
代理机构：北京北翔知识产权代理有限公司
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