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专利名称:用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座专利类型:实用新型专利
发明人:沈文杰,傅林坚,潘文博,汤承伟,麻鹏达,董医芳,章杰
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申请号:CN201821074095.1申请日:20180709公开号:CN2085077U公开日:20190215
摘要:本实用新型涉及半导造设备技术领域,旨在提供一种用于外延生长装置的多功能晶片衬底基座。包括基座主体,基座主体为圆盘;基座主体上表面分为一个内区以及至少三个外区,内区呈圆形位于基座主体中心,外区呈圆形,相邻的两个外区彼此相切且均与基座主体外缘相切;内区与外区重叠区域以外的内区圆周与每个外区圆周上,分别对称设有若干内部限位块与外部限位块;基座主体下表面设有若干凹槽以及支撑件,支撑件包含有与凹槽数量相等的支撑脚,支撑脚伸入凹槽内,以实现支撑件在基座主体上的固定。利用本产品进行的加工方式保留了单片式外延生长装置生长外延层良好厚度和电阻率均匀性的优点,生长出的外延层的质量优于多片式外延生长装置。
申请人:浙江求是半导体设备有限公司,浙江晶盛机电股份有限公司
地址:311100 浙江省杭州市余杭区东湖街道钱江经济开发区龙船坞路96号2幢3层
国籍:CN
代理机构:杭州中成专利事务所有限公司
代理人:周世骏
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