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专利名称：一种新型沟槽IGBT芯片专利类型：实用新型专利发明人：周炳,赵承杰,许新佳申请号：CN201922047732.7申请日：20191125公开号：CN210743951U公开日：20200612
摘要：本实用新型公开了一种新型沟槽IGBT芯片，包括集电极，集电极上设置有P+集电极区，P+集电极区上设置有N型衬底，N型衬底上设置有N‑场截止层，N‑场截止层上设置有P基区，P基区上设置有P+欧姆接触区，P+欧姆接触区上设置有发射极，P基区和P+欧姆接触区上均设置有N+型源区，N‑场截止层、P基区以及N+型源区上均设置有沟槽，沟槽内设置有栅氧化层，栅氧化层内设置有栅极，发射极与N+型源区、栅氧化层和栅极之间设置有夹层。该新型沟槽IGBT芯片，通过沟槽栅结构结合N型衬底、N‑场截止层和发射极为纵向分布结构，使得总耗能更低，开关行为更加轻柔，并且整体体型也变小，减少占用面积。
申请人：张家港意发功率半导体有限公司
地址：215600 江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
国籍：CN
代理机构：苏州国诚专利代理有限公司
代理人：王丽
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