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专利名称：光电探测器及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：齐利芳,李庆伟,郝文佳,韩孟序,尹顺政申请号：CN2020110682.4申请日：20200930公开号：CN112259632A公开日：20210122
摘要：本发明适用于光电探测技术领域，提供了一种光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括：在衬底上从下至上依次制备的N型欧姆接触层、吸收层以及P型欧姆接触层，在所述N型欧姆接触层和所述吸收层之间制备N型低掺杂的能带渐变层；在所述吸收层和所述P型欧姆接触层之间制备P型渐变掺杂能带渐变层。本发明通过在芯片吸收层上方和下方增加不同掺杂浓度的能带渐变层，从能带和串联电阻角度入手，减小空间电荷屏蔽效应，实现高速、高饱性能。与传统的PIN结构相比，串联电阻减小、电容减小、带宽和饱和度提高，用于5G高速光传输及25G/100G/200G/400G光传送网领域。
申请人：中国电子科技集团公司第十三研究所
地址：050051 河北省石家庄市合作路113号
国籍：CN
代理机构：石家庄国为知识产权事务所
代理人：秦敏华
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