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专利名称：荷正电纳滤复合膜及其制备方法专利类型：发明专利发明人：张所波,王海峰申请号：CN201110116320.X申请日：20110506公开号：CN102219673A公开日：20111019
摘要：本发明提供了具有式(I)结构的化合物及其制备方法。本发明还提供了一种荷正电纳滤复合膜，包括：聚丙烯腈支撑层；复合于所述聚丙烯腈支撑层表面的功能层，所述功能层为具有式(I)结构的化合物与哌嗪的聚合物。本发明还提供了一种荷正电纳滤复合膜的制备方法。本发明提供的荷正电纳滤复合膜表现为正电性，不仅具有较高的膜通量，而且对钙、镁等阳离子具有较高的截留率。另外，本发明提供的制备方法工艺简单、原料来源广泛，易于实现工业化生产。实验表明，本发明提供的方法制备得到的荷正电纳滤复合膜的水通量可达50L/mh，对钙、镁等阳离子的截留率可达95％。
申请人：中国科学院长春应用化学研究所
地址：130000 吉林春市人民大街5625号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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