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专利名称：一种碳化硅功率器件芯片键合方法专利类型：发明专利发明人：夏国峰,尤显平申请号：CN201910282555.2申请日：20190410公开号：CN109979828A公开日：20190705
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件芯片键合方法，属于微电子封装技术领域。本发明的键合方法包括：在碳化硅功率器件晶圆的无源面和基板面板上分别依次配置阻挡层和粘接层；将纳米银焊膏以均匀厚度分别印刷在碳化硅功率器件晶圆和基板面板的粘接层上，进行无压烧结形成银烧结层；对银烧结层进行氧化处理和抛光处理；切割形成分离的碳化硅功率器件芯片和基板；采用表面贴装方式将碳化硅功率器件芯片上的银烧结层面对面配置于基板上的银烧结层上，进行热压键合，实现碳化硅功率器件芯片键合连接。该发明具有简单、高可靠性、高良率、高产率的特点。
申请人：重庆三峡学院,夏国峰
地址：404020 重庆市万州区天星路666号
国籍：CN
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